SIRA34DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。器件在高电流负载下表现出优异的导通性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换与开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统整体能效，适合用于各类中低压电力电子电路中，作为高效开关元件实现稳定可靠的运行。
