NVTFS4C06NTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为3.5毫欧。其低RDS(ON)特性可有效降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较高的能效水平。适用于高频开关电源、负载开关、电池管理系统及对热管理与空间布局敏感的电子装置中，能够支持紧凑型设计并提升系统整体可靠性。
