TSM080NB03CR_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热性能要求较高的开关电源、电池管理系统及便携式高功率设备中的功率转换与控制电路，能够稳定支持大电流持续运行。
