SIHD6N65ET1-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，适用于高电压、中等电流的功率开关场景。其栅源电压范围（VGS）为-8V至@0V，支持宽幅驱动信号，有助于提升系统可靠性与抗干扰能力。碳化硅材料带来的低开关损耗与高热稳定性，使其适合用于高频电源、光伏逆变器、储能系统及对效率和体积有较高要求的电力电子装置中。
