SIHD6N65ET5-GE3-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，在栅源驱动电压范围-8V至@0V（VGS）内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗，适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。
