IRFB4410PBF-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的栅源电压（VGS）额定值。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，同时支持高电流通过能力。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等应用，在高频开关操作中可维持良好的性能与热稳定性。
