NTMFS4C027NAT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。其低导通电阻有效降低导通损耗，在高频率开关或大电流运行条件下仍能维持较高效率。适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高功率密度电子系统中，对热管理和能效表现有较高要求的应用场景。
