NVMFS5C645NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.7毫欧。如此低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流开关电源、高效DC-DC转换器、电池管理系统以及大功率电子负载等场景，在需要高效率与高可靠性运行的电路中表现出色。
