RJK03M6DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、负载开关及同步整流等应用场合。由于具备良好的开关特性和稳定的电气参数，可在多种电子系统中实现可靠的功率控制与管理。
