IXFH18N65X2-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:25A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率，在高频、高压条件下表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子设备。
