IPBE65R050CFD7AATMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:36mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
