STW65N045M9-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:45mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换系统。其宽驱动电压范围增强了栅极控制的灵活性，同时在高温环境下仍能保持稳定电气性能，适合用于对体积、效率及热管理有较高要求的电力电子应用中。
