IPZA60R045P7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:45mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率和热性能。适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换系统、服务器供电架构以及可再生能源相关设备中的功率调节环节。宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时有助于提升系统稳定性。
