AAR027V065H2-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高效率、高频率的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等，在紧凑型设计和高温运行环境中表现出良好的电气稳定性与热性能。
