NTMT064N65S3H-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:68A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:45mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道类型，具有68A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类高功率密度电力电子设备中的开关功能。
