SCT3080ARC15-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度的电力电子装置。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时有助于提升系统可靠性与动态响应性能。
