NTH4L095N065SC1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的高击穿电场与优异热导率，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块等场景，能够有效提升系统整体性能与可靠性。
