STL42N65M5-HXY_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻低至75mΩ，可在栅源电压-8V至@0V范围内可靠运行。凭借碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性，器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场合。其电气性能有助于简化散热设计并提升系统整体稳定性。
