IPZA65R040CM8XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:45mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性和高效率。适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换、可再生能源系统及高性能电子设备中的功率管理环节。
