SIHK125N65E-T1-GE3-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关效率，适用于高频率、高效率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
