SIHG33N65E-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:32A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有32A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高压条件下展现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其电气参数组合有助于简化驱动设计并提升系统整体能效表现。
