IXFP26N65X2-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A，最大漏源电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下具有较低的开关与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等，有助于提升整体能效并简化热管理设计。
