UF3C065080K4S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于简化散热设计并提升整体系统响应速度。
