FCH041N65EF-F155-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为44mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性。其参数组合适合用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，能够在较高温度环境下维持稳定性能，同时宽栅压范围提升了驱动电路的设计灵活性与鲁棒性。
