SCT3080ALGC11-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为36A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为75mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频开关特性与低导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子装置中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性，同时在高电压应力下保持稳定工作性能。
