C3D200065FB1_module-FB_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：module-FB 类别：碳化硅二极管 最小包装：16/托盘 参数1：IF:200A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.5V 参数4：IR:5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管额定持续正向电流（IF）为200A，反向重复峰值电压（VR）达650V，可在高电压环境下稳定运行。其正向导通压降（VF）典型值为1.5V，有效降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为5μA，体现优良的关断阻断能力。器件具备1200A的非重复浪涌电流（IFSM）承受能力，适用于瞬态电流较大的工况。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有快速恢复响应和高热稳定性，广泛用于高效直流电源、高压整流模块、储能系统中的功率因数校正及高频逆变装置等对能效和可靠性要求较高的电力电子电路中。
