IPT65R025CM8XTMA1-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源并网系统以及对热管理要求较高的电力电子应用。宽VGS范围增强了与多种驱动电路的兼容性。
