FCH041N65F-F155-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。其电气参数适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度的电力电子应用，宽栅压范围也有助于提升驱动兼容性与电路可靠性。
