RM15N650T1_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高工作结温特性，适用于高频开关电源、光伏逆变系统、不间断电源及各类高效电能转换场合。其电气参数支持在严苛电路条件下稳定运行，同时有助于提升系统整体效率与功率密度。
