UF3C065080K3S-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为75mΩ，在栅源电压范围-8V至@0V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其电气参数组合使其能够在高电压、大电流条件下维持可靠运行，同时支持较宽的驱动电压窗口，便于与多种控制电路兼容。
