IPW65R045C7300XKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达70A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)典型值为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可在高频开关条件下保持稳定性能，适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。
