NTH4L023N065M3S-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和750V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至@5V，具备良好的驱动兼容性与可靠性。器件利用碳化硅材料特性，在高温和高压条件下仍能保持稳定性能，适合用于对体积、效率及热管理有较高要求的电力电子系统中。
