IMW65R033M2HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件凭借低导通电阻和高耐压能力，适用于高效率、高开关频率的电力电子系统，如数据中心电源、通信设备供电模块及太阳能逆变装置，在高频运行条件下可有效降低损耗并提升系统整体能效。
