PSMN5R0-100PS-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有效减少了导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用，能够支持系统在紧凑空间内实现稳定可靠的电力控制。
