GSJA65R041_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流ID为70A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为44mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电源模块中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的兼容性与可靠性。
