STWA68N65DM6AG-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关应用中可显著降低导通和开关损耗。适用于对效率、功率密度及热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场景。
