IMBG65R033M2HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高压工作条件下展现出更低的开关损耗与更高的效率。适用于对能效和功率密度要求较高的电源转换、可再生能源系统及高频率电力电子装置，能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的性能表现。
