STW65N65DM2AG-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流（ID）达55A，漏源击穿电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDS(on)）典型值为58mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-10V至@5V。器件凭借碳化硅材料特性，在高频、高效率应用场景中展现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对功率密度和能效有较高要求的电源转换系统。其低导通损耗与宽驱动电压窗口有助于简化驱动电路设计并提升整体系统可靠性。
