IMZA65R033M2HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高功率条件下仍能维持稳定电气特性，适合用于对体积和能效有较高要求的电力电子系统。
