STL18N65M2_DFN5X6-8L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:13A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。其N沟道结构配合宽栅压范围，便于与多种驱动电路兼容，适用于对效率、体积和温升有较高要求的电源转换与高频开关场合。
