NTMFS4122NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频率开关场景。器件结构优化了开关特性，在高频工作条件下仍能保持稳定可靠的性能表现。
