NTMFS4C10NBT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧，适用于对效率和热性能要求较高的功率开关场景。在栅极驱动电压适配范围内，器件可实现快速开关响应与较低的导通损耗，适合用于电源转换、电机驱动及高密度功率模块等应用。其电气特性有助于维持系统稳定运行并提升整体能效表现。
