RJK0393DPA-00#J5A-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及同步整流等电路中。器件在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，适合对功率密度和能效有较高要求的应用场合。
