DMTH62M8SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:125A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.4毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高功率开关场景。器件结构优化了开关速度与导通性能之间的平衡，在高频操作下仍能保持稳定可靠的工作状态，适合用于各类高效能电子系统中的功率管理与控制环节。
