VF20202G-M3/4W-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:200V 参数3：VF:1.2V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为200V。其正向压降（VF）典型值为1.2V，在最大反向电压下漏电流（IR）不超过100μA。器件具备较强的瞬态耐受能力，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达175A。此类结构适用于需要双路同步整流或电压箝位的高频电源转换电路，有助于提升效率并简化PCB布局。
