STL58N3LLH5-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要高效功率切换的电子设备中。器件支持快速开关操作，适合对热性能和效率有较高要求的应用场合。
