TK5P50D(T6RSS-Q)_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:1300mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为5A，最大漏源电压（VDSS）达500V，导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ。其电气参数表明该器件适用于中等功率的开关应用，在较高电压条件下仍能维持稳定工作。由于具备标准N沟道结构和明确的导通特性，可被用于电源转换、负载控制以及各类电子系统中的开关功能模块，适合对电压耐受能力和通态损耗有特定要求的电路设计。
