MCAC110N06Y-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:125A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有125A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.4毫欧。极低的导通电阻有效减小了导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较高的能效和较低的温升。适用于高功率密度的开关电源、高效DC-DC转换模块、电池充放电控制以及大电流电子负载等应用，能够满足对热性能与电气性能要求严苛的电路设计需求。
