IPP65R280E6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:306mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为9A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中展现出优异的效率与热稳定性，适用于高功率密度电源、光伏逆变系统、不间断电源以及各类高效电能转换设备。
