VF20150C-M3/4W-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:150V 参数3：VF:1.1V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为1.1V，在导通状态下能有效降低功耗；反向漏电流（IR）在额定条件下不超过100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达175A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率与瞬态耐受能力有较高要求的整流及续流场合。
